聚力成半導體有限公司(GLC)，團隊由國內外各大知名半導體公司華籍專家組成，旨在采用GaN核心技術以實現電力電子與射頻領域的高速革命。
高開關頻率與高能效相結合，則電力系統可以在充電速度，功率密度和成本降低方面實現顯著改善。GLC核心技術團隊擁有硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片、碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)外延片的開發及生產能力，基于這些技術，可在芯片生產、封測服務實現這一革命，該功率IC預估可將開關速度提高100倍，同時將節能提高40%或更多。
在電力電子領域，GLC具備開發6英寸650V/100V硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片技術能力，實現650V/15A硅基氮化鎵功率器件的生產工藝。
在微波射頻領域，GLC同樣具有研發碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)外延材料的技術能力，技術團隊在射頻芯片生產工藝的開發，有多年豐富經驗，未來產品將定位為射頻通訊和射頻能量市場。
目前，GLC於重慶市大足區建設一期硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片工廠，現今外延片已進入量產階段, 整個項目計劃建成年產能12萬片的氮化鎵外延片產線和年產能36萬片的氮化鎵芯片生產和封測產線，總投資約50億人民幣。
GLC以 "堅持", "務實", "敏捷", "品質", "承諾"五個核心價值來創造公司的文化，成為客戶值得信賴的國際性第三代化合物半導體制造企業。
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